中新網(wǎng)紐約9月9日消息：據科技日報報道，美國威斯康星州大學(xué)的科研小組近日宣布，他們在室溫條件下通過(guò)操縱單個(gè)原子，研制出原子級的硅記憶材料，其存儲信息的密度是目前光盤(pán)的100萬(wàn)倍。這是納米存儲材料技術(shù)研究的一大進(jìn)展。
據該小組發(fā)表在《納米技術(shù)》雜志上的研究報告稱(chēng)，新的記憶材料構建在硅材料表面上。研究人員首先使金元素在硅材料表面升華，形成精確的原子軌道；然后再使硅元素升華，使其按上述原子軌道進(jìn)行排列；最后，借助于掃瞄隧道顯微鏡的探針，從這些排列整齊的硅原子中間隔抽出硅原子，被抽空的部分代表“0”，余下的硅原子則代表“1”，這就形成了相當于計算機晶體管功能的原子級記憶材料。整個(gè)試驗研究在室溫條件下進(jìn)行。
研究小組負責人赫姆薩爾教授說(shuō)，在室溫條件下，一次操縱一批原子進(jìn)行排列并不容易。更為重要的是，記憶材料中硅原子排列線(xiàn)內的間隔是一個(gè)原子大小。這保證了記憶材料的原子級水平。
赫姆薩爾教授說(shuō)，新的硅記憶材料與目前硅存儲材料存儲功能相同，不同之處在于，前者為原子級體積，利用其制造的計算機存儲材料體積更小、密度更大。這可使未來(lái)計算機微型化，且存儲信息的功能更為強大。目前研究人員還只是在平面上進(jìn)行單個(gè)原子操作研制硅記憶材料。未來(lái)可望在三維立體空間進(jìn)行類(lèi)似的試驗。
