發(fā)表評論 中新網(wǎng)5月15日電 朗科公司日前推出一款全球讀寫(xiě)速度領(lǐng)先、性能領(lǐng)先的閃存控制芯片——“優(yōu)芯4號”。該芯片采用雙通道技術(shù)，將閃存盤(pán)的讀寫(xiě)速度首次提高到近40MB/S和20MB/S，是目前市面上大部分USB2.0閃存盤(pán)讀寫(xiě)速度的2-3倍左右。
和業(yè)界其他品牌的閃存盤(pán)控制芯片相比，“優(yōu)芯4號”的卓越性能主要體現在零碎文件的寫(xiě)入速度上。(所謂零碎文件所指文件大小小于1M的文件)。目前絕大多數的閃存盤(pán)控制芯片都能把連續讀寫(xiě)(針對于大文件，類(lèi)似于視頻文件，每個(gè)的大小在幾百M以上)的性能做到相差無(wú)幾，而對于零碎文件的讀寫(xiě)的性能差異就很大，好壞的差異可能達到10倍以上，這個(gè)在用戶(hù)實(shí)際使用中感受尤其明顯。
據悉，朗科公司推出“優(yōu)芯4號”超高速控制芯片，主要是因應閃存盤(pán)主流容量不斷提升的市場(chǎng)趨勢，以及閃存應用日益廣泛所產(chǎn)生的芯片市場(chǎng)本身的內在需求。
近年來(lái)，由于互聯(lián)網(wǎng)和多媒體技術(shù)的不斷發(fā)展，用戶(hù)的移動(dòng)存儲數據量逐年暴漲。閃存盤(pán)的市場(chǎng)主流容量也水漲船高，從五年前的128M增長(cháng)到目前的4G，累計增長(cháng)了32倍，預計未來(lái)2年內，市場(chǎng)主流容量將達到32G。
“以往人們從閃存盤(pán)讀取2G的資料通常需要近十分鐘的時(shí)間，采用朗科優(yōu)芯4號控制芯片，用戶(hù)只需等待一分鐘左右�！崩士朴嘘P(guān)人士表示，在閃存盤(pán)主流市場(chǎng)容量已經(jīng)逐漸逼近8G的今天，人們使用“優(yōu)芯4號”閃存盤(pán)的心情將截然不同。
“優(yōu)芯4號”另外一個(gè)重要特點(diǎn)是支持不同廠(chǎng)商(如三星、現代、東芝、英特爾等)、不同制程、不同容量的閃存芯片；支持SLC、MLC和AGAND等閃存；具備強大的FlashFree技術(shù)，能實(shí)時(shí)支持最新的閃存芯片類(lèi)型。
“強大的技術(shù)支持和無(wú)與倫比的兼容性將讓‘優(yōu)芯4號’和朗科優(yōu)盤(pán)一樣受寵�！庇蟹治鋈耸勘硎�，所不同的是，朗科優(yōu)盤(pán)主要受寵于個(gè)體消費者，而“優(yōu)芯4號”將得到眾多有閃存應用需求的制造商的青睞。
據悉，此前國內電視巨頭創(chuàng )維和朗科的合作，雙方聯(lián)合研制支持USB高清電影播放和下載功能的電視機新功能，就已經(jīng)為朗科的控制芯片打開(kāi)了一個(gè)市場(chǎng)缺口。
“一方面，朗科公司是目前國內閃存應用領(lǐng)域唯一擁有芯片級技術(shù)的企業(yè)，而另一方面，閃存芯片正飛速應用于移動(dòng)影音、手機、家電等眾多領(lǐng)域”，分析人士表示，不難想象“優(yōu)芯4號”將面臨怎樣的市場(chǎng)機遇。
“優(yōu)芯4號” 是一個(gè)高性能的高穩定性的USB2.0閃存盤(pán)控制芯片。它采用0.18um的CMOS工藝，內部集成5V到3.3V和5V到1.8V電壓調節器，可最大限度降低系統成本；采用磨損平衡技術(shù)(Wear Leveling)，能極大地延長(cháng)閃存的使用壽命；最大可支持8片Nand Flash。
此外，“優(yōu)芯4號”內部還集成了BCH算法ECC電路，每512Byte數據最大可糾正8bit數據錯誤，這一糾錯能力在以往閃存盤(pán)基礎上提高了4倍左右。
相 關(guān) 報 道
