我脱了语文老师的内裤_AMD 45nm世代處理器及平臺全面解析(3)——中新網(wǎng)

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    AMD 45nm世代處理器及平臺全面解析(3)
2009年07月24日 15:06 來(lái)源:電腦之家 發(fā)表評論  【字體:↑大 ↓小

AMD 45nm處理器特性:

    AMD 45nm工藝的進(jìn)步帶給核心以很大的改良空間。首先,AMD方面得以大幅擴充了三級緩存的容量,新一代Phenom II處理器的三級緩存容量擴充為6MB,相比前代Phenom處理器提升了2倍之多。其次,AMD也擁有了更多的空間用于芯片內部的節能設計以及架構改良。以AMD定位高端的Phenom II X4處理器為例。 根據AMD官方公布的資料,Phenom II處理器核心代號Deneb,核心面積258平方毫米,內置晶體管數量達到7.58億個(gè),而前代核心代號Agena的Phenom X4處理器內置了4.63億晶體管, 核心面積就達到285平方毫米。正如前章節所言,浸潤蝕刻確實(shí)給AMD帶來(lái)了明顯的進(jìn)步,使得AMD能夠在獲得體積更小,密度更高的芯片,而AMD也得以有空間給Phenom處理器增添更大的緩存容量,并且在核心的各個(gè)環(huán)節上進(jìn)行有針對性的改良。

Phenom II
65nm Phenom核心(Agena)照片
45nm Phenom II(Deneb)核心照片

    對于前代Phenom處理器的評價(jià),一個(gè)重要的看法是其三級緩存受限于芯片的規模,無(wú)法達到預先設想的容量,2M的三級緩存對于四核心的Phenom處 理器來(lái)說(shuō)是最低而不是最合適的需求。此次Phenom II處理器的改進(jìn)最明顯的地方就是三級緩存的大幅擴充,也算是圓了AMD芯片架構設計師的一個(gè)心愿,達到了AMD處理器史無(wú)前例的6M容量,加上512K X4的二級緩存,二三級緩存的總容量合計達到8M,相比前代Phenom處理器提升達一倍,由此帶來(lái)的性能提升是相當可觀(guān)的。

    在二級緩存和三級緩存的設計上,AMD也進(jìn)行了非常有成效的改進(jìn),緩存體系的延遲得以明顯降低,三級緩存的延遲降低了近兩個(gè)周期,系統可以更加快速的訪(fǎng)問(wèn)海量的三級緩存,使得核心間的配合效率得以明顯提升,新加入的緩存預取則使得整體功耗平均下降達21%。

    由于工藝的改進(jìn)和架構的大幅改良不便于同時(shí)發(fā)生,因此核心內部架構的改良并不是非常大,AMD統稱(chēng)其為IPC(每時(shí)鐘周期執行更多的指令)的提升,并且格外注重了各個(gè)模塊能耗控制設計上的改良。尤其是Cool'n'Quiet技術(shù)升級至3.0規范,讓處理器在運行狀態(tài)下及空負載狀態(tài)下最大幅度的節省了能源的消耗。

Phenom II

    以上改進(jìn)由Phenom II X4處理器延伸到了Phenom II X3處理器之上,對于定位主流市場(chǎng)的Athlon II X2來(lái)說(shuō),除了取消三級緩存的相關(guān)設計之外,其余特性依舊與Phenom II處理器保持一致。

【編輯:段紅彪
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