國內首個(gè)256位分子存儲器電路研制成功
2008年05月20日 16:19 來(lái)源:中國證券報
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記者日前從中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉,中國科學(xué)院微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)實(shí)驗室借助中科大國家同步輻射實(shí)驗室二次X射線(xiàn)光刻工藝,近日成功研制出國內首個(gè)256位分子存儲器電路。
據介紹,分子電路是指在分子層次上構筑的電子器件及其集成電路,是后摩爾時(shí)代接替硅基電路最受關(guān)注的方向之一,它能夠使電子器件的關(guān)鍵尺寸縮小到分子尺度,推動(dòng)集成電路向更小尺寸、更高集成度方向發(fā)展。
微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)實(shí)驗室的研究人員在深入研究后成功研制了國內首個(gè)256位分子存儲器電路。該存儲器電路的特征尺寸達到250nm(納米),電學(xué)性能優(yōu)異。這一進(jìn)展為我國分子電路的高集成度、高速度和低功耗的實(shí)現奠定了重要基礎,有力推動(dòng)了我國分子電子學(xué)的發(fā)展。
【編輯:段紅彪】
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