
本報訊 美國加州大學(xué)研究人員成功研制出一種納米激光器,可將功率超過(guò)200納瓦的光束聚焦為一個(gè)直徑僅為35納米的光點(diǎn),從而使每平方厘米面積上的數據存儲量達到1.55太比特。此成果將給磁存儲產(chǎn)業(yè)帶來(lái)重大影響,尤其是備受關(guān)注的、被認為是最具前景的未來(lái)數據存儲技術(shù)之一的熱輔助磁記錄技術(shù)(HAMR)。相關(guān)論文刊登在去年12月的《應用物理通訊》上。
傳統存儲技術(shù)采用的是50年前的縱向磁記錄技術(shù),而該技術(shù)總有一天會(huì )達到超順磁極限,屆時(shí)常規記錄媒介中的磁位元將變得很小,這將造成信息存儲的不穩定。HAMR則是利用光束和磁場(chǎng)的共同作用,產(chǎn)生足夠的能量來(lái)轉換高度各向異性磁記錄介質(zhì)中的納米級磁位元的磁化方向。
但是,HAMR技術(shù)的瓶頸在于如何將足夠的能量聚焦到一個(gè)納米級的光點(diǎn)上。加州大學(xué)研究人員的納米激光技術(shù)就解決了這一問(wèn)題,他們已實(shí)現了將超過(guò)200納瓦的功率聚焦到35納米直徑的光點(diǎn)上,這已遠遠超過(guò)開(kāi)關(guān)納米磁位元的需求。研究人員表示聚焦點(diǎn)的直徑可進(jìn)一步縮小至10納米。
為了制作納米激光器,研究人員在二極管激光器的發(fā)射端沉積一層金屬薄膜,然后使用鎵離子激光束蝕刻出一個(gè)納米尺寸的孔徑。這樣當光穿過(guò)小孔時(shí),就會(huì )聚焦成一個(gè)納米光點(diǎn)。經(jīng)過(guò)各種不同形狀的孔徑實(shí)驗后,研究人員發(fā)現C型孔徑可通過(guò)最高光量。
研究人員稱(chēng),該項技術(shù)最快將在兩年內實(shí)現商業(yè)化,而且還有可能導致另一種新型數據存儲技術(shù)———蛋白基內存的出現,預計這種新型數據存儲和記憶器件將在未來(lái)10年內向市場(chǎng)發(fā)起沖擊。(記者馮衛東)

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