中新網(wǎng)11月7日電 臺“經(jīng)濟部”官員7日上午低調證實(shí)官方將于今年12月中旬，開(kāi)放第2與第3座8吋晶圓廠(chǎng)赴大陸投資，而制程技術(shù)的門(mén)檻也將一并由目前的0.25微米，進(jìn)一步放寬為0.18微米，其中包括已到上海投資設廠(chǎng)的臺積電也適用新的規定。
據鳳凰衛視報道，臺灣一家媒體7日指出，臺“經(jīng)濟部”審議將近一年的第2與第3座8吋晶圓廠(chǎng)赴大陸投資案，將于今年12月中旬通過(guò)，而且在晶圓制程的技術(shù)門(mén)檻，也會(huì )由目前比較低階的0.25微米放寬到比較高階的0.18微米。對此，臺“經(jīng)濟部”官員7日上午在“立法院”做出低調回應。
“陸委會(huì )”也表示，未來(lái)也不排除更進(jìn)一步開(kāi)放更高階的晶圓制程赴大陸投資，或是開(kāi)放IC封測廠(chǎng)到大陸設廠(chǎng)�！瓣懳瘯�(huì )”官員還指出，臺積電是在2004年5月經(jīng)官方批準后，第一家將8吋晶圓廠(chǎng)轉赴大陸投資，而未來(lái)新的制程一旦通過(guò)包括臺積電都適用。(楊明哲)
