中新網(wǎng)9月3日電 日前,全球移動(dòng)存儲領(lǐng)導廠(chǎng)商朗科公司發(fā)布的一款新品閃存盤(pán)U217引起了人們的廣泛關(guān)注。它的連續讀寫(xiě)速度達到了32MB/sec、21MB/sec,隨機讀寫(xiě)速度達到了32MB/sec、12MB/sec,后者更是全球著(zhù)名品牌同類(lèi)產(chǎn)品的4倍左右。
據悉,2008年閃存盤(pán)產(chǎn)品平均讀寫(xiě)速度在10MB/sec左右(說(shuō)明:一般讀為12~18,寫(xiě)5~8),而這一速度通常指的是連續讀寫(xiě)大小達100MB以上的單一文件的速度,如果將幾十上百個(gè)文件存放在一個(gè)文件夾中,然后拷貝這一文件夾,其拷貝速度將急劇下降4~5倍,只有1~3MB/sec左右——這就是隨機寫(xiě)速度。
“朗科U217的最大設計容量為128GB,這對閃存盤(pán)來(lái)說(shuō)是一個(gè)全新的時(shí)代,這個(gè)時(shí)代對讀寫(xiě)速度的要求與以往截然不同!庇袠I(yè)內分析人士表示,它不僅要求閃存盤(pán)的連續讀寫(xiě)速度要足夠快,還要求其隨機讀寫(xiě)速度也能跟上“擴容”的步伐。
朗科U217通過(guò)獨特的技術(shù)手段,成功地將閃存盤(pán)隨機寫(xiě)速度提高到12 MB/sec,是全球第一款成功跨越百GB容量速度門(mén)檻的閃存盤(pán)。
據悉,朗科三大閃存技術(shù)主要通過(guò)“閃存芯片的控制加速、雙通道倍速和nSpeed提速技術(shù)”三種方法來(lái)實(shí)現速度的顯著(zhù)提升。其中,新的閃存控制技術(shù)可以讓閃存盤(pán)讀寫(xiě)速度提高30~40%。而雙通道技術(shù)則直接將閃存盤(pán)的讀寫(xiě)技術(shù)提高到兩倍。
尤其值得一提的是nSpeed技術(shù)。據朗科技術(shù)人員介紹,當前的操作系統都是針對傳統硬盤(pán)設計的,包含很多優(yōu)化傳統機械硬盤(pán)的機制。而這些優(yōu)化機制對閃存盤(pán)是無(wú)效甚至有害,從而使閃存盤(pán)不能100%地發(fā)揮出應有的性能。
“朗科nSpeed加速技術(shù)正是為優(yōu)化閃存盤(pán)性能而誕生,它在目前的操作系統下,使閃存盤(pán)成功突破主機端的限制,將閃存的讀寫(xiě)速度垂直飆升!崩士葡嚓P(guān)技術(shù)人員表示。
IT產(chǎn)業(yè)總是以一款新產(chǎn)品來(lái)標志一個(gè)時(shí)代的開(kāi)始,比如P4、winXP,液晶顯示器、甚至光電鼠、無(wú)線(xiàn)鼠標……,有行業(yè)人士表示;“就具備實(shí)用價(jià)值的百GB容量的閃存盤(pán)來(lái)說(shuō),朗科U217似乎也扮演了類(lèi)似的角色”。
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