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　　中新網(wǎng)8月24日電 全球移動(dòng)存儲領(lǐng)導廠(chǎng)商朗科公司今天發(fā)布了一款融合了三大加速技術(shù)的閃存盤(pán)U217，其連續讀寫(xiě)速度提高到驚人的32MB/sec、21MB/sec，隨機讀寫(xiě)速度提高到32MB/sec、12MB/sec，后者更是全球著(zhù)名品牌同類(lèi)產(chǎn)品的4倍左右。

　　據悉，在2009年以前，國內閃存盤(pán)的主流容量一直徘徊在4GB以?xún)�，但隨著(zhù)三星等公司推出了更低納米的閃存芯片，目前閃存盤(pán)的最大容量已經(jīng)可以做到上百GB，足以和移動(dòng)硬盤(pán)的容量相提并論了。

　　“在4GB以前，讀寫(xiě)速度的快慢并不能給用戶(hù)以非常直觀(guān)的感受，但現在不同了。一款32GB的閃存盤(pán)如果用去年業(yè)內平均讀寫(xiě)速度10MB/sec來(lái)存儲，累計需要一個(gè)小時(shí)，而如果采用朗科U217，只需十幾分鐘�！庇袠I(yè)內人士表示，閃存盤(pán)容量的大幅攀升，對閃存盤(pán)讀寫(xiě)速度提出了更高的要求。

　　據悉，朗科三大閃存技術(shù)主要通過(guò)“閃存芯片的控制加速、雙通道倍速和Nspeed提速技術(shù)”三種方法來(lái)實(shí)現速度的顯著(zhù)提升。

　　“新的閃存控制技術(shù)可以讓閃存盤(pán)讀寫(xiě)速度提高30～40%。而雙通道技術(shù)則直接將閃存盤(pán)的讀寫(xiě)技術(shù)提高到兩倍。此外，朗科Nspeed提速技術(shù)則利用PC緩存來(lái)提升閃存盤(pán)的讀寫(xiě)性能�！崩士乒�司技術(shù)部門(mén)有關(guān)人士向記者表示。

　　特別值得一提的是，大多數時(shí)候，閃存盤(pán)是用來(lái)存儲零散的小文件，而不像DVD文件那樣動(dòng)輒0.99GB大小，因而其隨機讀寫(xiě)性能要比連續讀寫(xiě)性能重要得多。目前市面上最好的同類(lèi)閃存盤(pán)的隨機寫(xiě)性能只能做到3MB/sec左右，而采用朗科三大閃存技術(shù)的閃存盤(pán)最高隨機寫(xiě)性能達到了12MB/S，是前者的4倍，也是目前全球綜合讀寫(xiě)性能最好的閃存盤(pán)。

　　據悉，目前采用三大閃存技術(shù)的第一款產(chǎn)品U217已經(jīng)上市，其最大設計容量為128GB，是為數不多的海量閃存盤(pán)家族中的領(lǐng)跑者。

　　作為閃存盤(pán)的發(fā)明者、國內唯一擁有芯片級開(kāi)發(fā)能力的閃存盤(pán)廠(chǎng)商，朗科公司在閃存盤(pán)技術(shù)領(lǐng)域擁有無(wú)人能及的優(yōu)勢，其開(kāi)發(fā)的數十項閃存技術(shù)獲得了發(fā)明專(zhuān)利，這些技術(shù)構成了現今閃存盤(pán)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)基礎，已經(jīng)為世界各國閃存廠(chǎng)商所采納。