中新網(wǎng)12月11日電 臺積電11日在美國華盛頓特區舉行的國際電子組件大會(huì ) (IEDM)中發(fā)表論文，宣布開(kāi)發(fā)出同時(shí)支持模擬及數字集成電路的32納米制程技術(shù)，并成功試產(chǎn)出32納米2Mb靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)，且已通過(guò)功能試驗。
據“中央社”報道，臺積電表示，成功開(kāi)發(fā)出32納米制程技術(shù)，象征公司先進(jìn)技術(shù)的開(kāi)發(fā)邁向另一個(gè)新里程碑。
臺積電指出，開(kāi)發(fā)出的低耗電量32納米制程技術(shù)，具備低待機耗電量晶體管、模擬及射頻功能、銅導線(xiàn)以及低介電系數材料導線(xiàn)等特色，適合用于生產(chǎn)可攜式產(chǎn)品所需的系統單晶片。
因應客戶(hù)不同市場(chǎng)需求，臺積電未來(lái)將提供包括數字、模擬、射頻以及高密度記憶體等多樣的32納米制程。
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